表面分析

ナノテクノロジーの進展とデバイスの微細化に伴い、材料の表面・界面の制御は極めて重要になり、そのための評価ニーズはますます高まりつつあります。当社では、最新鋭の表面分析手法を用いて各種材料の表面・界面の組成や構造・状態、形状を調べ、材料の特性との相関を明らかにします。

  • 走査型プローブ顕微鏡

    空間分解能数nm(XY)、高さ分解能0.1nm(Z)の表面の三次元形状を観察できます。
    液中に固定した生体試料の観察も可能です。
    ナノメータスケールの高分子材料の力学物性、半導体の電気特性が評価できます。

  • X線光電子分光法

    最表面~数nmにおける元素組成・化学状態の情報を得ることが可能です
    イオンエッチングと併用することにより深さ方向分析が可能です。
    ポリマー・有機物から無機物・半導体まであらゆる固体材料の分析が可能です。

  • オージェ電子分光法

    Li以上の元素の定性・半定量分析が可能で、一部元素では化学状態の情報も取得できます。
    サブμm以下の空間分解能での微小領域の元素分析ができ、ライン分析や面分析も可能です。
    Arイオンエッチングを併用することで、深さ方向の元素分布分析が可能です。

  • 二次イオン質量分析法

    表面分析手法としては最も高感度で不純物分析が可能です。Hも検出可能です。
    極浅(数nm)から深く(数10μm)まで広い深さ範囲の評価が可能です。
    半導体の他、金属、ガラス、セラミックス、樹脂など、ほとんどの固体試料に適応可能です。

  • 飛行時間型二次イオン質量分析法

    表面感度が非常に高く、極微量の元素および有機物の化学構造に関する情報が得られます。
    検出された成分について、サブμmの分解能での分布観察が可能です。
    高感度、高空間分解能での深さ方向分析ができ、微量元素の3D測定を行うことができます。

  • ラザフォード後方散乱分光法

    後方散乱スペクトルの解析から、深さ方向の組成分布を得ることが可能です。
    チャネリング測定を用いることにより、結晶性・格子置換率・歪み評価が可能です。
    高分解能RBS(High Resolution RBS:HR-RBS)測定により極薄膜の深さ方向組成分析が可能です。

  • 水素前方散乱分析法、核反応解析法、粒子線励起X線分析法

    HFS:水素前方散乱スペクトルの解析から、試料中水素の深さ分布を得ることが可能です。
    NRA:核反応により発生するα線、γ線を検出することにより、試料中軽元素の高感度定量が可能です。
    PIXE:イオン励起による特性X線を検出することにより、RBSでは分離困難な近接重元素の定量分析が可能です。

  • X線吸収微細構造解析

    着目元素の価数や局所構造などの情報が得られます。
    粉末・液体・基板上薄膜などのあらゆる試料形態での分析が可能です。
    混合ガス流通下における加熱雰囲気下(~ 1000℃)での測定(in situ XAFS)も可能です。

  • 拡がり抵抗測定法

    SiおよびGe基板中の深さ方向の抵抗率およびキャリア濃度(導電型)の情報を得ることが可能です。

  • グロー放電発光分析装置

    原子のAr プラズマ内における発光線を連続的に分光することにより、薄膜の深さ方向の元素分布を測定します。半導体、無機・有機物、ガラス、 ポリマー中の不純物濃度分析ができます。

  • グロー放電質量分析法

    金属、半導体中の無機元素分析を溶液化の前処理なく直接分析できる高感度な手法です。
    標準試料が不要で、半定量値を得ることができます。
    板状試料を用いれば、深さ方向分析が可能となります。