原理
GD-OES(Glow discharge optical emission spectrometry )はAr グロー放電領域内で導電性、非導電性膜を高周波スパッタリングし、スパッタされた原子のAr プラズマ内における発光線を連続的に分光することにより、薄膜の深さ方向の元素分布を測定する手法である。
- 制御PC
- コントローラ
- 高周波電源
- マッチングボックス
- 減圧ポンプ
- 圧力計
- 高電圧ユニット
- 増幅アンプ
- 光電子増倍管
- 回折格子
特徴
| ・深さ分析 | 3nm～100μm |
|---|---|
| ・非導電試料 | ガラス、セラミックス、ポリマー等 |
| ・AES、XPSに優る高感度分析 | 検出下限:数ppm～数10ppm |
| ・有機系試料、非平面部の分析 | |
| ・水素も含めた元素濃度の定量 | |
| ・水素も含めた元素濃度の定量 | H ～ U(一部測定できない元素もあり) |
測定径
| 1mmΦ～7mmΦ |
|---|
測定対象例
- Liイオン電池、太陽電池
- 透明導電膜、半導体多層膜
- 酸化膜中の不純物元素
- ポリマー中の不純物拡散
- 金属多層膜
- アモルファスSi中の水素分布、
- 自動車の塗膜 など
その他表面分析の原理