二次イオン質量分析(SIMS)
(Secondary Ion Mass Spectrometry：SIMS)

原理

イオン(通常はCs⁺またはO₂⁺)を固体表面に照射すると、スパッタリング(試料構成原子が真空中に放出される現象)に伴って二次イオンが生成する。この二次イオンを質量分離・検出することで、分析対象試料中に存在する元素およびその濃度を知ることができる。表面分析手法としては最も感度が高く、ppm～ppbの検出限界を達成することができる。また、スパッタリングを用いているため、深さ方向分析が可能である。