実装・パッケージング

表面実装の高密度化のために、BGA(Ball Grid Array)やCSP(Chip Size Package)などから、多層スタック構造のSiP(System in Package)に変わりつつあり、TSV(Through Silicon Via)の様な新規の接続方法も登場してきている。

分析メニュー

分類 分析内容例 分析試料 分析方法
パッケージ 応力(Siチップ) 実装部品 Raman、X線回折
歪み 歪みゲージ
剥離 超音波顕微鏡
接合部の評価 接合部の構造観察(非破壊) 実装部品 X線CT
 〃 (断面観察) OM、SEM、FIB-SIM、TEM
接合部の構成元素分布評価 EPMA、AES、AEM
接合部の結晶性の評価 FIB-SIM、EBSD
はんだバンプの歪評価 μ-X線回折
接合部からの加熱発生ガス評価 TPD-MS
異物・表面汚染 電極(ランド)の表面汚染 実装部品 TOF-SIMS、AES、XPS
配線上の異物 TOF-SIMS、AES
腐食部の元素マッピング EPMA
表面微小付着物 µ-FT-IR、TOF-SIMS
組成・不純物分析 導電性接着剤の組成分析 原材料 GC/MS、GPC分取、NMR、FT-IR等
めっき液の添加剤分析 GC/MS、NMR、FAB-MS等
有機層間絶縁材料の組成分析 実装部品 熱分解GC/MS、加水分解GC/MS
実装部品からの加熱発生ガス分析 TG-MS、GC/MS
Cd、Pb、CrなどRoHS規制対象元素の微量分析 ICP-MS、原子吸光等
物性測定 接着剤などの硬化特性 原材料 DSC、液体粘弾性
熱物性(熱膨張、熱伝導率、軟化温度など) 開発途中品 レーザー干渉法、TMA、DSC等
金属膜の硬度測定 ナノインデンテーション法
実装品の熱歪み解析 歪みゲージ法
評価項目 分析法
応力・歪・そり Raman
X線回折
TEM
NBD、CBED
歪ゲージ
組成・化学状態 XPS
AES
FT-IR
RBS
SIMS
蛍光X線、EPMA
TEM-EDX、EELS
NMR
構造・形状 TEM
SEM
AFM、STM
TEMトモグラフィ
欠陥・結晶性 PL、CL
Raman
TEM
X線回折
DLTS
キャリア濃度 SCM、SSRM
SR
FT-IR
ライフタイム μ-PCD
細孔径分布 小角X線散乱
陽電子消滅
TEM
分光エリプソメトリ
評価項目 分析法
密着性 4点曲げ
ナノインデンテーション
ラフネス AFM、STM
TEM、SEM
GIXR
ボイド TEM、SEM
界面構造・状態 TEM、SEM
AES
XPS
SIMS
異物・偏折 TEM、SEM
AES
Raman
クラック SEM、TEM
膜厚・密度 分光エリプソメトリ
GIXR
RBS
エッチング残渣 TDS、TPD-MS
SIMS
EELS
エッチングダメージ FT-IR
EELS
不純物プロファイル SIMS
汚染 ICP-MS
TOF-SIMS

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