リソグラフィ

リソグラフィ技術は、露光装置技術、マスク技術、レジスト材料およびプロセス技術から成り立っており、多くのプロセス工程を経てパターンが形成される。最近の半導体集積回路の微細化や高集積化は、目覚ましい速さで進んでおり、それに伴い、微細加工プロセス技術における露光光源やレジスト材料も様々に変化し、分析内容も多様している。

分析メニュー

  分析内容 分析手法
レンズマスク系 石英、CaF2および関連膜の不純物、組成分布 SIMS、 RBS、 XPS、ICP-MSなど
レンズ(石英、CaF2)の着色、曇り原因調査 ESR、 PL、 FT-IR、XPS、TEM
石英、CaF2、の欠陥観察 SEM
表面組成 XPS
石英、CaF2/各種薄膜の界面欠陥 RBSなど
ペリクルの劣化、付着異物 顕微FT-IR、AES、FT-IR、IC
レンズ、マスクの表面汚染、表面異物 GC/MS、TOF-SIMS、TEM-EDX、顕微FT-IR、XPS、 Raman、IC、IC-MS
エッチング・洗浄 エッチング残渣(表面) TOF-SIMS、XPS、FT-IR
エッチング残渣(側壁、底部) TOF-SIMS、AES
エッチング、前処理による構造変化 FT-IR、Raman
現像液中のレジスト残り 有機組成分析
洗浄後表面残渣 TOF-SIMS、XPS、FT-IR
現像液/レジスト 固液界面の表面張力 接触角
雰囲気 アンモニア等の雰囲気成分 GC/MS、IC
レジスト系 レジスト硬さ 微小圧縮試験機、ナノインデンター
レジスト組成分析、残留溶媒分析、分子量分布 NMR、GC/MS、GPCなど
UV光照射・加熱時発生ガス分析(分解挙動) TG-MS、熱分解GC/MS、FT-IR
融点・相転移温度 DSC
レジスト中の凝集ポリマー形状、相分離、形態観察 TEM
レジスト中の溶剤分布 µ-TA、低温TOF-SIMS、FT-IR
レジスト中無機微量分析 ICP-MS、IC
反応前後のポリマー配向、形状 FT-IRなど
結晶性 X線回折
レジストの面内および深さ方向の構造・添加剤分布 FT-IR、 Raman 、TOF-SIMS、C60+イオンエッチング/XPS、分光エリプソメトリ
レジストの反応機構 有機組成分析、FT-IR
レジストおよび反射防止層のボイド分布、空孔サイズ 小角X線散乱、陽電子消滅寿命測定法
レジスト、シンナーの濡れ性(塗布性) 接触角
評価項目 分析法
応力・歪・そり Raman
X線回折
TEM
NBD、CBED
歪ゲージ
組成・化学状態 XPS
AES
FT-IR
RBS
SIMS
蛍光X線、EPMA
TEM-EDX、EELS
NMR
構造・形状 TEM
SEM
AFM、STM
TEMトモグラフィ
欠陥・結晶性 PL、CL
Raman
TEM
X線回折
DLTS
キャリア濃度 SCM、SSRM
SR
FT-IR
ライフタイム μ-PCD
細孔径分布 小角X線散乱
陽電子消滅
TEM
分光エリプソメトリ
評価項目 分析法
密着性 4点曲げ
ナノインデンテーション
ラフネス AFM、STM
TEM、SEM
GIXR
ボイド TEM、SEM
界面構造・状態 TEM、SEM
AES
XPS
SIMS
異物・偏折 TEM、SEM
AES
Raman
クラック SEM、TEM
膜厚・密度 分光エリプソメトリ
GIXR
RBS
エッチング残渣 TDS、TPD-MS
SIMS
EELS
エッチングダメージ FT-IR
EELS
不純物プロファイル SIMS
汚染 ICP-MS
TOF-SIMS

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