MEMS・センサ・TSV

半導体デバイス開発は、これまでMooreの法則に従い微細化によるパフォーマンスの向上が進められてきたが、微細化だけでは性能向上が困難になってきており、「More than Moore」と呼ばれる指針にもとづいた多様化が図られている。

MEMS (Micro Electro Mechanical System)

対象 分析項目
保護膜 化学状態
膜質
透水性
可動部 汚染
形状
素子 形状
封止空間 封入ガス

TSV(Through Silicon Via)

対象 分析項目
ウェハ 応力・欠陥
汚染
バンプ 形状
応力
結晶方位
実装品 脱離ガス
変形
TSV エッチング残渣
形状
結晶方位
めっき有機物
界面層
応力/欠陥
Cuの拡散

分析メニュー

評価項目 分析法
応力・歪・そり Raman
X線回折
TEM
NBD、CBED
歪ゲージ
組成・化学状態 XPS
AES
FT-IR
RBS
SIMS
蛍光X線、EPMA
TEM-EDX、EELS
NMR
構造・形状 TEM
SEM
AFM、STM
TEMトモグラフィ
欠陥・結晶性 PL、CL
Raman
TEM
X線回折
DLTS
キャリア濃度 SCM、SSRM
SR
FT-IR
ライフタイム μ-PCD
細孔径分布 小角X線散乱
陽電子消滅
TEM
分光エリプソメトリ
評価項目 分析法
密着性 4点曲げ
ナノインデンテーション
ラフネス AFM、STM
TEM、SEM
GIXR
ボイド TEM、SEM
界面構造・状態 TEM、SEM
AES
XPS
SIMS
異物・偏折 TEM、SEM
AES
Raman
クラック SEM、TEM
膜厚・密度 分光エリプソメトリ
GIXR
RBS
エッチング残渣 TDS、TPD-MS
SIMS
EELS
エッチングダメージ FT-IR
EELS
不純物プロファイル SIMS
汚染 ICP-MS
TOF-SIMS

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