原理
TDS法とは、試料を高真空下で加熱し、脱離する気体の量の変化を時間および温度の関数として追跡する手法である。試料表面や内部に吸着・含有された成分の脱離挙動から、材料の性質や汚染状態を調べることができる。東レリサーチセンターが所有する装置では、加熱に赤外線を用い、気体の検出には質量分析計を使用している。
【仕様】
温度 ： 室温付近～1100℃※ （ステージ温度）
※Ｓｉ基板の場合、試料表面は900℃付近まで到達。
質量数 ： m/z 1～200
【検出限界】
H2Oの場合、おおよそ1×10-13個 cm-2 （成分により異なる）
【主な適用試料】
SiO2、SiN、SiOC、IGZOといった半導体材料
【主な検出可能ガス種】
H2、CH4、NH2、H2O、CO、N2、C2H4、O2、Ar など
【技術資料】
その他材料物性の分析の原理