電子線後方散乱回折法(走査電顕－結晶方位解析)（Electron Backscatter Diffraction： EBSD）

原理

金属やセラミックスをはじめとする結晶性材料に電子線を照射すると、試料表面で生じる電子線後方散乱回折により菊池線回折図形すなわちEBSDパターンが観測され、試料の結晶系や結晶方位に関する情報が得られる。走査電子顕微鏡(SEM : Scanning Electron Microscope)と組合わせて、電子線を走査しながらEBSDパターンを測定，解析することで、微小領域の結晶系や結晶方位の分布に関する情報が得られる。