XAFSによる半導体中の微量ドーパントの状態評価

記事No. 202102-03
タイトル

XAFSによる半導体中の微量ドーパントの状態評価
著者 表面科学研究部　国須 正洋
要旨 半導体へのドーパント添加は、電気特性を制御する上で非常に重要な技術であり、添加によるキャリア発生のメカニズムは固体物理の理論に基づいて理解されているが、ドーパント元素における直接的な化学状態や配位環境の評価事例は少ない。元素ごとの状態評価は、XAFSにより可能であるが、近年の検出器の感度向上などにより、微量のドーパント元素の化学状態や配位環境を感度よく観測できるようになってきた。
本稿では、XAFSを用いたシリコン半導体に含まれるヒ素およびリンの状態評価の事例を紹介する。
目次
（全4ページ）
  1. はじめに
  2. 分析試料および実験手法
  3. シリコン中のヒ素のXAFS評価
  4. シリコン中のリンのXAFS評価
  5. おわりに
図表
  1. As K端XANESスペクトル
  2. As K端FT-EXAFSスペクトル
  3. As K端FT-EXAFSカーブフィッティング結果
  4. アニールありおよびアニールなしにおけるヒ素の状態および周囲構造のイメージ
  5. P K端XANESスペクト
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