酸化ガリウムの結晶構造解析及びイオン注入プロセス評価

記事No. 202001-02
タイトル

酸化ガリウムの結晶構造解析及びイオン注入プロセス評価
著者 形態科学研究部　橋本 愛
要旨 酸化ガリウム（Ga2O3）は次世代パワー半導体材料として注目を集めており、近年研究が盛んになってきている。半導体デバイスの信頼性、特性改善にはプロセス技術の最適化が必要であり、その評価方法が重要となる。
本稿ではエピタキシャル膜の品質評価に必要な結晶構造解析と、デバイス特性への影響が大きいイオン注入プロセスにおける不純物、欠陥、キャリア濃度解析を行った事例を紹介する。
目次
（全4ページ）
  1. はじめに
  2. 断面TEM、平面STEMによる結晶構造解析
  3. イオン注入プロセス評価
  4. おわりに
図表
  1. 断面TEM像、界面層の高分解能TEM像、FFTパターン、β-Ga2O3のシミュレーション電子回折パターン、Ga2O3膜の電子回折パターン、シミュレーション電子回折パターン κ-Ga2O3、ε-Ga2O3
  2. 原子分解能平面HAADF-STEM像、〈001〉方向の原子配置図κ-Ga2O3、ε-Ga2O3
  3. 原子分解能平面STEM像
  4. 結晶欠陥の原子分解能平面HAADF-STEM像
  5. イオン注入後（アニール未処理）のSiデプスプロファイル
  6. アニール処理後のSIMS分析結果
  7. イオン注入後のRamanスペクトル
  8. 1E15 atoms/cm2注入試料の断面TEM像
  9. イオン注入後のCLスペクトル
  10. 注入量、アニール処理温度の異なる試料のCL強度比較
  11. 注入量：1E15 atoms/cm2のSCM評価結果
  12. キャリア濃度とdC/dV信号強度の関係
  13. 注入量：1E15 atoms/cm2SIMS分析結果
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