in-situ STEMを用いたMTJ膜の加熱分析

記事No. 202001-01
タイトル

in-situ STEMを用いたMTJ膜の加熱分析
著者 形態科学研究部　清水 夕美子
要旨 近年、高感度ならびに低消費電力デバイスの需要が高まり、スピントロニクス分野では磁気メモリや磁気センサーなどが注目を集めている。これらのデバイスには、高い磁気抵抗効果が得られることからMTJ（magnetic tunnel junction）構造が広く用いられている。このMTJ構造は数nm程度の薄い積層膜から成り、原子レベルでの膜厚やラフネスおよび結晶性が特性を左右する。
また、アニール温度によって磁気特性が変化することから、本稿ではin-situ TEMを用いて、加熱に伴う結晶性や元素分布の変化過程をnmレベルで分析した事例を紹介する。
目次
（全4ページ）
  1. はじめに
  2. 試料と評価方法
  3. 結晶性の変化
  4. 結晶配向の解析
  5. 面内結晶配向の解析
  6. まとめ
  7. 謝辞
  8. おわりに
図表
  1. アニール前後のMTJ膜模式図
  2. アニール温度とTMR比の関係
  3. 測定試料
  4. in-situ加熱専用ホルダーとナノチップ
  5. in-situ加熱測定により得られたBF-STEM像とFFTパターンおよびEELSラインプロファイル
  6. in-situACOM-TEM測定結果
  7. 平面方向のACOM-TEM測定結果
サンプルページ
サンプルPDF
価格 PDF FILE (PDF:2,621KB)
2,200円（税込）
購入手続き

※お支払い完了後は”ショピングサイトに戻る”ボタンを押してください。PDFが開きます。