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最先端SIMS分析装置「NanoSIMS 50L」を用いた微小領域の高感度イメージング分析

記事No. 201903-01
タイトル

最先端SIMS分析装置「NanoSIMS 50L」を用いた微小領域の高感度イメージング分析
著者 表面科学研究部　鮫島 純一郎
要旨 最先端の二次イオン質量分析（SIMS）装置であるNanoSIMS 50Lは、プローブ径約50 nmのイオンビームと、透過率の高い質量分析系の併用により、従来のSIMSに比べて約2桁高い空間分解能でイメージング測定を行うことが可能である。
本稿では、NanoSIMS 50Lの装置の特徴と分析事例を紹介する。
目次
（全4ページ）
  1. はじめに
  2. 分析装置の概要
  3. 毛髪断面の分析事例
  4. SiC半導体デバイスの分析事例
  5. まとめ
図表
  1. NanoSIMS 50Lの装置外観写真
  2. NanoSIMS 50Lの特徴
  3. 毛髪の断面構造
  4. NanoSIMS 50Lによる毛髪断面のイオウ（S）のイメージング
  5. SiC中のアルミニウム（Al）、シリコン（Si）、リン（P）の三次元イメージング
  6. SiCデバイスのリン（P）、酸素（O）の二次元イメージングと抽出領域、二次元イメージングから抽出したPのデプスプロファイル
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