ナノメートルスケールの局所構造解析を実現する最先端分光手法の開発

記事No. 201901-02
タイトル

ナノメートルスケールの局所構造解析を実現する最先端分光手法の開発
著者 技術開発企画部　村上 昌孝
要旨 金属チップ先端などに局在化する近接場光を利用した分光分析技術はナノメートル領域の化学構造の解析を可能にする手法として強く期待されている。
チップ増強ラマン分光法や近接場ラマン分光法はその代表的な手法であり、原理解明や応用に関する様々な研究が行われてきた。
本稿ではそれらの材料分析への適用例を示し、材料解析に対する実用性について言及する。
目次
（全4ページ）
  1. はじめに
  2. TERSによるCNTの結晶構造解析
  3. SNOM-RamanによるSiO2/SiC界面応力解析
  4. まとめ
図表
  1. 近接場光を利用したラマン分光法
  2. AFM(Atomic Force Microscope)位相像、チューブの存在状態(S:半導体型、M:金属型）、各チューブのRBMスペクトル
  3. AFM-Ramanスペクトル、D/G比分布
  4. Sn0.1%交点のAFM-Ramanスペクトル
  5. 近接場ラマンの光学系
  6. SiO2/SiC積層膜
  7. SiO2/SiC界面近傍の応力解析
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