Ga2O3膜の分析評価技術

記事No. 201901-01
タイトル

Ga2O3膜の分析評価技術
著者 表面科学研究部　中田 由彦
要旨 SiCやGaNより大きなバンドギャップを持つ酸化ガリウム（Ga2O3）は新たなパワーデバイス材料として注目されている。
デバイス応用に向けた薄膜成長技術の発展とともに、Ga2O3薄膜の分析評価技術の重要性は益々高まると考えられる。
本稿では、サファイア基板上に作製したGa2O3膜の結晶構造解析、および不純物、欠陥評価を行った事例について紹介する。
目次
（全4ページ）
  1. はじめに
  2. 試料
  3. 分析結果
  4. まとめ
図表
  1. Ga2O3の結晶構造
  2. 試料面法線方向および面内方向のX線回折スペクトル
  3. ラマンスペクトル
  4. Sn0.1%狙い試料の表面SEM像および断面TEM像
  5. Sn0.1%狙い試料の制限視野電子回折パターン
  6. Sn濃度のSIMS分析結果
  7. sMIM-C信号プロファイル
  8. CLスペクトル（加速電圧3kV）
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