分析メニュー

分析対象 評価項目 分析法
発光素子 素子全体 形状 光学顕微鏡、 SEM
リーク、ショート EL、SEM、 TEM
動作時温度 Raman
表面電極 組成 EPMA、AES、RBS
不純物 SIMS、TOF-SIMS、AES
膜厚 SEM、TEM
酸化・表面汚染 FT-IR、TOF-SIMS、AES、XPS
応力 歪みゲージ、XRD、Raman
ラフネス AFM、SEM
密着性 ナノインデンテーション
クラッド層 組成 EPMA、AES、RBS、Raman、SIMS
結晶欠陥 PL、CL、TEM
不純物 SIMS、TOF-SIMS、ESR、Raman、CL
キャリア濃度 SIMS、Raman、SCM
p/n構造 SCM、SIMS
活性層 構造・形状 TEM
膜厚 TEM
不純物 SIMS、CL
組成ゆらぎ STEM-EDX、CL
エピ膜・バッファ層 応力 Raman
欠陥・結晶性 Raman、CL、TEM、ESR
界面状態 TEM、Raman、CL
不純物 SIMS、TOF-SIMS、Raman、CL
基板 応力 Raman、XRD、歪みゲージ
欠陥・結晶性 PL、CL、Raman、XRD
不純物 SIMS、Raman
研削ダメージ Raman、CL、AFM
裏面電極 応力 XRD、Raman
組成 EPMA、AES、RBS
密着性 ナノインデンテーション
LEDパッケージ 封止樹脂 組成 FT-IR、固体NMR、熱分解GC/MS
形状、クラック 光学顕微鏡、SEM
不純物 FT-IR、NMR、ICP-MS
劣化状態 固体NMR、FT-IR、UV-VIS、ESR
硬さ ナノインデンテーション
耐熱性 DSC、TMA
密着性 ナノインデンテーション
ガス透過性 差圧式定常法(模擬試料試験のみ)
吸水率 水蒸気・ガス吸着測定
リードフレーム めっき膜厚 SEM、TEM
熱伝導率 フラッシュ法
凹凸・形状 AFM、SEM
表面汚染 FT-IR、XPS、AES、TOF-SIMS
変色・腐食 XPS、TOF-SIMS
光反射率 UV-VIS
ボンディング ループ形状(ワイヤ) SEM
剥離(ワイヤ、フリップチップ) SEM
残留応力 XRD、Raman
蛍光体 組成 EPMA
形状 SEM
劣化 固体NMR、FT-IR、UV-VIS、ESR、Raman、PL、CL
LED電球など 整流ダイオード 外見形状 光学顕微鏡、 SEM
内部断線 X線透視、開封観察
半導体素子故障 SEM、SCM
ケミカルコンデンサ 外見形状 光学顕微鏡、SEM
電解液劣化 FT-IR、HPLC
電極腐食 X線CT、断面SEM
セラミックコンデンサ 外見形状 光学顕微鏡、SEM
焼結体劣化 SEM、CL
内部断線 X線透視、開封観察
不純物 TOF-SIMS、EPMA
パワートランジスタ 接合不良 電気特性試験、SEM
内部断線 X線透視、開封観察
半導体素子劣化 EL、SEM、TEM
その他電子部品 接合不良 光学顕微鏡、SEM
内部断線 X線透視、開封観察
変形 歪みゲージ、XRD、Raman
絶縁不良 電気特性試験、FT-IR
その他劣化 FT-IR、固体NMR、熱分解GC/MS
その他発光素子 有機EL 各種分析 有機ELディスプレイの項参照