パワーデバイス

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NanoSIMSによるSiC-MOSFET断面の元素分布評価
NanoSIMSによるSiC-MOSFET断面の元素分布評価 ダウンロード【PDF: 336 KB】
パワーデバイス
断面カソードルミネッセンス(CL）によるGaN系パワーデバイスの
プロセスダメージ・応力評価
断面カソードルミネッセンス(CL）によるGaN系パワーデバイスのプロセスダメージ・応力評価 ダウンロード 【PDF:437 KB】
パワーデバイス
μ-DICを用いた冷却・昇温過程の
熱ひずみ分布解析
-PCB, SiC-MOSFETへの適用-
μ-DICを用いた冷却・昇温過程の熱ひずみ分布解析-PCB, SiC-MOSFETへの適用- ダウンロード 【PDF:521 KB】
パワーデバイス
トレンチゲート構造Si-MOSFETの
拡散層評価
トレンチゲート構造Si-MOSFETの拡散層評価 ダウンロード 【PDF:395 KB】
パワーデバイス
GaN表面の高感度不純物分析
GaN表面の高感度不純物分析 ダウンロード 【PDF:492 KB】
パワーデバイス
STEMおよびSIMSによるGaN-MOS
デバイスのSiO2/GaN界面の評価
STEMおよびSIMSによるGaN-MOSデバイスのSiO2_GaN界面の評価 ダウンロード【PDF: 279 KB】
パワーデバイス
fsLA-ICP-MSによる難溶性試料の
無機微量元素分析
fsLA-ICP-MSによる難溶性試料の無機微量元素分析 ダウンロード 【PDF:725 KB】
パワーデバイス
4H-SiCバイポーラデバイス中に
形成された積層欠陥の
拡大起点構造解析
4H-SiCバイポーラデバイス中に形成された積層欠陥の拡大起点構造解析 ダウンロード 【PDF:1.42 MB】
パワーデバイス
ラマン分光法によるGaN HEMTパッケージ品のマクロから
ミクロに至る応力評価
ラマン分光法によるGaN HEMTパッケージ品のマクロからミクロに至る応力評価 ダウンロード 【PDF:555 KB】
パワーデバイス
低温から高温にいたる連続温度可変
フォトルミネッセンス(PL)
スペクトル測定
低温から高温にいたる連続温度可変フォトルミネッセンス(PL)スペクトル測定 ダウンロード 【PDF:454 KB】
パワーデバイス
カソードルミネッセンス(CL)法による
シリコンパワーデバイスの
点欠陥・転位評価
カソードルミネッセンス(CL)法によるシリコンパワーデバイスの点欠陥・転位評価 ダウンロード 【PDF:181 KB】
パワーデバイス
低加速カソードルミネッセンス(CL)法を用いた酸化ガリウム(β-Ga2O3)の
イオン注入ダメージ評価
低加速カソードルミネッセンス(CL)法を用いた酸化ガリウム(β-Ga2O3)のイオン注入ダメージ評価 ダウンロード 【PDF:276 KB】
パワーデバイス
加熱 in-situ TEM 観察とSTEM-EDX
分析による金属積層膜の熱挙動把握
加熱 in-situ TEM観察とSTEM-EDX分析による金属積層膜の熱挙動把握 ダウンロード 【PDF:1.21 MB】
▲ Carbon Neutral