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分析応用講座【RBS,D-SIMS】
- 開催日時
- 2025年10月23日(木) 13:00~16:00
- 会場
- オンライン配信
※会社やご自宅のパソコンで視聴可能な講座です
※分析講座については、学生無料枠(10名様まで)を設定しております。
大学生・大学院生は、無料で受講いただけますので是非ご検討ください。
※お申し込み前に、本案内末尾の「オンライン配信分析講座のご案内」をご確認ください。
- 受講料
- 44,000円(税込)
- 講師
- 株式会社東レリサーチセンター 研究部門 室員 大田 哲郎
講座概要
RBS(ラザフォード後方散乱分光法)は、固体表面の薄膜組成分析を行う手法で、非破壊かつ定量のための標準試料が不要という大きな特徴を有しています。
本講座では、RBSの特徴を踏まえ、分析方法、注意点などを、わかりやすく解説します。
さらには、RBSと同じく高エネルギーイオンを用いた、水素分析の手法(HFS)や、核反応分析法(NRA)など周辺の分析技術についても応用を交えて紹介します。測定原理や、解析の方法まで踏み込んで説明することで、内容を統一的に理解できるようにし、現場で利用する際の実践的な知識を習得していただけるようにしました。
SIMS(二次イオン質量分析法)は、表面分析の中で最も検出感度に優れていることから、半導体をはじめとした各種固体材料の不純物の深さ方向の分析に最適であり、産業用途および研究用途に用いられてきた歴史の長い装置です。しかしながら、測定条件の設定等に依存して、データの品質が大きく変わってしまうことから、分析技術に熟練を必要とする手法でもあります。
本講座では、Dynamic-SIMSの原理、特徴、有効性、装置の仕組み等の基礎的な事柄について解説すると共に、感度変化への対処方法、深さ分解能の最適化、バックグラウンド(装置内残留成分)の低減など、品質のよいデータを取得する具体的方法についても触れます。
カリキュラム
-
イオンビーム分析とは
- SIMS、RBSの特徴、他の組成分析手法との区別
-
RBS(ラザフォード後方散乱分光)とは
- 表面分析の中のRBSの位置付け
- RBSの原理、特徴、利用上の注意点
- エネルギー、検出粒子による分類
- 簡単な分析事例
-
その他の高エネルギーイオンビームを用いた分析
- HFS(水素前方反跳分析)
- NRA(核反応分析法)
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高エネルギーイオンビームのチャネリング現象とその応用
- 軽元素の定量
- 結晶性の評価
- 不純物の格子位置の分析
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RBSの分析上の注意点
- 炭化水素汚染
- 結晶性試料の組成分析
- 絶縁材料
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RBSのまとめ
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SIMS(二次イオン質量分析法)とは
- 表面分析の中のSIMSの位置付け
- SIMSの原理
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D-SIMSのデータ、解析
- 測定モード(デプスプロファイル、マススペクトル、二次イオンイメージ)
- D-SIMSの適用例
- 装置の種類
- スパッタリング、スパッタ速度
- デプスプロファイルの濃度換算、イオン注入の活用
-
D-SIMSの分析上の注意点
- 定装置、測定条件の選択など
- D-SIMSの問題点と対処方法
- 妨害イオン
- ミキシング、ノックオンの深さ分解能への影響
- マトリクス効果
-
D-SIMSまとめ
オンライン配信分析講座のご案内
オンライン配信分析講座とは?
- 本講座はコミュニケーションツール「Teams」を使ったライブ配信のウェビナー(オンラインセミナー)となります。
- 講座開催日時に、ウェビナー参加用 Teams URLにログインしていただき、ご視聴頂きます。
お申込み後の流れ
- 開催日時前に、申込み頂いたメールアドレスに分析講座参加用のTeams URLをお送りいたします。
※参加用URLは本講座に申込み頂いた方共通となります。相互に受講者の方の実名がわからない様、弊社で各参加者の氏名、アドレスを非表示とさせていただきます。 - 事前配布資料は、当日までにPDFファイルで配布しますが、参加者のみのご利用に限定いたします。他の方への転送、WEBへの掲載などは固くお断りいたします。
注意事項
- インターネット経由でのライブ中継ですので、回線状態などにより、画像や音声が乱れる場合があります。また、状況によっては、講義を中断し、再接続して再開する場合がありますが、予めご了承ください。
- 万が一、当社のインターネット回線状況や設備機材の不具合により、開催を中止した場合には、受講料の返金や、状況により後日録画を提供すること等で対応させて頂きます。
- 受講中の録音・撮影等は固くお断りいたします。