分析基礎講座【RBS,D-SIMS】

開催日時
2018年1月19日(金)13:30~17:00【申込締切:2018年1月18日(木)】
会場
大阪府大阪市東淀川区東中島1-18-22 新大阪丸ビル別館 3-1号室
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参加費用
45,000円(税込)
講師
研究部門 部長代理 鮫島純一郎
研究部門 次長 森田直威

日程を変更し開催いたします。

講座概要

RBS(ラザフォード後方散乱分光法)は、固体表面の薄膜組成分析を行う手法で、非破壊かつ定量のための標準試料が不要という大きな特徴を有しています。
本講座では、RBSの特徴を踏まえ、利用の仕方、注意点などを、わかりやすく解説します。
さらには、RBSと同じく高エネルギーイオンを用いた、水素分析の手法(HFS)や、核反応分析法(NRA)、特性X線を利用した分析法(PIXE)など周辺の分析技術についても応用を交えて紹介します。測定原理や、解析の方法まで踏み込んで説明することで、内容を統一的に理解できるようにし、現場で利用する際の実践的な知識を習得していただけるようにしました。

SIMS(二次イオン質量分析法)は、表面分析の中で最も検出感度に優れていることから、半導体をはじめとした各種固体材料の不純物の深さ方向の分析に最適であり、産業用途および研究用途に用いられてきた歴史の長い装置です。しかしながら、測定条件の設定他に依存して、データの品質が大きく変わってしまうことから、分析技術に熟練を必要とする手法でもあります。本講座では、SIMSの原理、特徴、有効性、装置の仕組み等の基礎的な事象について解説すると共に、感度変化への対処方法、深さ分解能の最適化、バックグラウンド(装置内残留成分)の低減など、品質のよいデータを取得する具体的方法についても触れます。

カリキュラム

RBS(ラザフォード後方散乱分光)とは
  • 表面分析の中のRBSの位置付け
  • RBSの原理、特徴、利用上の注意点
  • 簡単な分析事例
その他の高エネルギーイオンビームを用いた分析
  • HFS(水素前方反跳分析)
  • NRA(核反応分析法)
  • PIXE(粒子励起X線分析法)
最新の分析事例
  • RBS/HFS同時分析
  • RBS/NRA/PIXEを組み合わせた分析
高エネルギーイオンビームのチャネリング現象とその応用
  • 結晶性の評価
  • 不純物の格子位置の分析
RBSのまとめ
SIMS(二次イオン質量分析法)とは
  • 表面分析の中のSIMSの位置付け
  • SIMSの原理
SIMSのデータ、解析
  • 測定モード(デプスプロファイル、マススペクトル、二次イオンイメージ)
  • SIMSの適用例
  • 装置の種類
  • スパッタリング、スパッタ速度
  • デプスプロファイルの濃度換算
SIMSでよりよいデータを取得するために
  1. 目的の明確化、測定装置、測定条件の選択など
  2. SIMSの問題点と対処方法
    • 妨害イオン
    • ミキシング、ノックオンの深さ分解能への影響
    • マトリクス効果
SIMSの分析事例
TOF-SIMSを用いた深さ方向元素分析
  1. TOF-SIMSの原理、装置、特徴
    • ダイナミックSIMSとの違い
  2. 最新の分析事例
SIMSまとめ

日程を変更し開催いたします。