イオン注入

概要

1985年からイオン注入サービス事業を開始しており、1988年からは、国内にて中電流型イオン注入装置を設置し半導体関連材料を中心としたイオン注入受託業務を行っています。
当社の分析・物性評価業務と同様に厳密な機密保持を保証いたします。
SIMS, RBS, CL, TEM等各種評価も併せてご利用いただけます。

【研究・開発に】

ステップ回転注入、分析標準試料、高温低温注入、種々の形状の試料についてご相談に応じます。

試料  12インチまでのウェハ、不定形チップ状等も可能。
エネルギー  1~4,200 keV 温度:室温~600℃(低温も承ります。)
注入量  5E10~5E17 cm-2
イオン種  80種

【生産に】

  • 生産ラインの注入工程アウトソーシング
  • 生産量確保のための救援処置
  • 装置故障時のバックアップ

などの対応にお役に立てます。

多品種少量(特殊)生産に対応します。国内設備による注入では、24時間以内の出荷に対応できる場合もありますのでご相談下さい。
トレーサビリティーの明確なサービスを提供いたします。

設備およびイオン注入条件

国内設備 使用装置:アルバック社製 IMX-3500RS (中電流機、静電ビーム走査)
試料:ウェハ(不定形、φ2~φ6 inch)
各種材料(チップ状~φ150mm、最大厚さ25mm)
イオン:27種(Al、Beが国内で出来るようになりました)
エネルギー:10~200 keV,200~400 keV(2価イオン) 
注入量:5E10 ~ 5E17 cm-2
INNOViON Corporation(CA,USA) 試料:ウェハ(不定形、φ2~φ8、一部φ12 inch)
イオン:80種(分子イオンはお問合わせください)
エネルギー:1~200 keV、200~600 keV(2価イオン)
温度:低温(液体窒素冷却)、高温(~600℃)も可能
Materials Diagnostics(NY,USA) 試料:ウェハ(φ2~φ8 inch)
イオン:40種(分子イオンはお問合わせください)
エネルギー:10~4,200 keV(イオン種によって制約あり)

注入可能イオン種

当社で受託注入可能なイオンは以下の80種です。このうち、色分け文字のイオン注入は海外提携機関での実施、その他については、国内で注入いたします。
ただし、注入条件や装置の稼動状況によっては、お客様とご相談のうえ、海外提携機関を指定して実施することもあります。

海外提携機関への委託となる場合には、当社の安全保障貿易管理システムに則った輸出手続に必要な書類や情報のご提供をお願い致します。

イオン注入シミュレーション

ご要望により、イオン注入条件(ご希望の深さと濃度にするにはエネルギーと注入量をいくらにすればよいか)や注入されたイオンの分布(ご指定のエネルギーと注入量でイオンはどのような深さ分布を示すか)等のシミュレーションをご提供いたします。
基板組成、基板密度、ご希望イオンをお伺いし、下記のコンピュータプログラムで数値計算を行ない、結果を数値もしくはエクセルのグラフでお答えいたします。多段注入によるボックスプロファイルの検討も可能です。
ただし、本シミュレーションは注入後のプロファイルや濃度を保証するものではごさいません。
★ご希望の条件は、イオン注入シミュレーション依頼書に記載してお知らせください。
(見積のご依頼を前提として無料)

【TRIM (J.F.Ziegler, J.P.Biersack) 】

SRIMに内包された機能としてモンテカルロ法によりシミュレーションするプログラム。
いかなる基板およびイオンの組み合わせでも計算可能。また12元素15層までの多成分層膜基板でも計算可能です。

【Stopping/Range Tables (J.F.Ziegler, J.P.Biersack)】

SRIMに内包された機能としてLSS理論に基づくProjected Range(Rp, △Rp)から以下のようなプロットが得られます。いかなる基板材料(但し、単層)およびイオンの組み合わせでも計算可能です。

プログラム

シミュレーションプログラム(SRIM)は無償で公開されていますので、以下よりダウンロード可能です。
http://www.srim.org/

ご依頼

注入費用

下記、フォームまたはE-mailでお問い合わせください。SIMS分析・RBS分析を同時ご依頼の場合、分析費は特別割引にて承ります。