分析メニュー
分析対象 | 評価項目 | 分析法 | |
---|---|---|---|
発光素子 | 素子全体 | 形状 | 光学顕微鏡、 SEM |
リーク、ショート | EL、SEM、 TEM | ||
動作時温度 | Raman | ||
表面電極 | 組成 | EPMA、AES、RBS | |
不純物 | SIMS、TOF-SIMS、AES | ||
膜厚 | SEM、TEM | ||
酸化・表面汚染 | FT-IR、TOF-SIMS、AES、XPS | ||
応力 | 歪みゲージ、XRD、Raman | ||
ラフネス | AFM、SEM | ||
密着性 | ナノインデンテーション | ||
クラッド層 | 組成 | EPMA、AES、RBS、Raman、SIMS | |
結晶欠陥 | PL、CL、TEM | ||
不純物 | SIMS、TOF-SIMS、ESR、Raman、CL | ||
キャリア濃度 | SIMS、Raman、SCM | ||
p/n構造 | SCM、SIMS | ||
活性層 | 構造・形状 | TEM | |
膜厚 | TEM | ||
不純物 | SIMS、CL | ||
組成ゆらぎ | STEM-EDX、CL | ||
エピ膜・バッファ層 | 応力 | Raman | |
欠陥・結晶性 | Raman、CL、TEM、ESR | ||
界面状態 | TEM、Raman、CL | ||
不純物 | SIMS、TOF-SIMS、Raman、CL | ||
基板 | 応力 | Raman、XRD、歪みゲージ | |
欠陥・結晶性 | PL、CL、Raman、XRD | ||
不純物 | SIMS、Raman | ||
研削ダメージ | Raman、CL、AFM | ||
裏面電極 | 応力 | XRD、Raman | |
組成 | EPMA、AES、RBS | ||
密着性 | ナノインデンテーション | ||
LEDパッケージ | 封止樹脂 | 組成 | FT-IR、固体NMR、熱分解GC/MS |
形状、クラック | 光学顕微鏡、SEM | ||
不純物 | FT-IR、NMR、ICP-MS | ||
劣化状態 | 固体NMR、FT-IR、UV-VIS、ESR | ||
硬さ | ナノインデンテーション | ||
耐熱性 | DSC、TMA | ||
密着性 | ナノインデンテーション | ||
ガス透過性 | 差圧式定常法(模擬試料試験のみ) | ||
吸水率 | 水蒸気・ガス吸着測定 | ||
リードフレーム | めっき膜厚 | SEM、TEM | |
熱伝導率 | フラッシュ法 | ||
凹凸・形状 | AFM、SEM | ||
表面汚染 | FT-IR、XPS、AES、TOF-SIMS | ||
変色・腐食 | XPS、TOF-SIMS | ||
光反射率 | UV-VIS | ||
ボンディング | ループ形状(ワイヤ) | SEM | |
剥離(ワイヤ、フリップチップ) | SEM | ||
残留応力 | XRD、Raman | ||
蛍光体 | 組成 | EPMA | |
形状 | SEM | ||
劣化 | 固体NMR、FT-IR、UV-VIS、ESR、Raman、PL、CL | ||
LED電球など | 整流ダイオード | 外見形状 | 光学顕微鏡、 SEM |
内部断線 | X線透視、開封観察 | ||
半導体素子故障 | SEM、SCM | ||
ケミカルコンデンサ | 外見形状 | 光学顕微鏡、SEM | |
電解液劣化 | FT-IR、HPLC | ||
電極腐食 | X線CT、断面SEM | ||
セラミックコンデンサ | 外見形状 | 光学顕微鏡、SEM | |
焼結体劣化 | SEM、CL | ||
内部断線 | X線透視、開封観察 | ||
不純物 | TOF-SIMS、EPMA | ||
パワートランジスタ | 接合不良 | 電気特性試験、SEM | |
内部断線 | X線透視、開封観察 | ||
半導体素子劣化 | EL、SEM、TEM | ||
その他電子部品 | 接合不良 | 光学顕微鏡、SEM | |
内部断線 | X線透視、開封観察 | ||
変形 | 歪みゲージ、XRD、Raman | ||
絶縁不良 | 電気特性試験、FT-IR | ||
その他劣化 | FT-IR、固体NMR、熱分解GC/MS | ||
その他発光素子 | 有機EL | 各種分析 | 有機ELディスプレイの項参照 |