実装・パッケージング

表面実装の高密度化のために、BGA(Ball Grid Array)やCSP(Chip Size Package)などから、多層スタック構造のSiP(System in Package)に変わりつつあり、TSV(Through Silicon Via)の様な新規の接続方法も登場してきている。

分析メニュー

分類	分析内容例	分析試料	分析方法
パッケージ	応力（Siチップ）	実装部品	Raman、X線回折
	歪み		歪みゲージ
	剥離		超音波顕微鏡
接合部の評価	接合部の構造観察（非破壊）	実装部品	X線CT
	〃　（断面観察）		OM、SEM、FIB-SIM、TEM
	接合部の構成元素分布評価		EPMA、AES、AEM
	接合部の結晶性の評価		FIB-SIM、EBSD
	はんだバンプの歪評価		μ-X線回折
	接合部からの加熱発生ガス評価		TPD-MS
異物・表面汚染	電極（ランド）の表面汚染	実装部品	TOF-SIMS、AES、XPS
	配線上の異物		TOF-SIMS、AES
	腐食部の元素マッピング		EPMA
	表面微小付着物		µ-FT-IR、TOF-SIMS
組成・不純物分析	導電性接着剤の組成分析	原材料	GC/MS、GPC分取、NMR、FT-IR等
	めっき液の添加剤分析	原材料	GC/MS、NMR、FAB-MS等
	有機層間絶縁材料の組成分析	実装部品	熱分解GC/MS、加水分解GC/MS
	実装部品からの加熱発生ガス分析		TG-MS、GC/MS
	Cd、Pb、CrなどRoHS規制対象元素の微量分析		ICP-MS、原子吸光等
物性測定	接着剤などの硬化特性	原材料	DSC、液体粘弾性
	熱物性（熱膨張、熱伝導率、軟化温度など）	開発途中品	レーザー干渉法、TMA、DSC等
	金属膜の硬度測定		ナノインデンテーション法
	実装品の熱歪み解析		歪みゲージ法