半導体デバイス開発は、これまでMooreの法則に従い微細化によるパフォーマンスの向上が進められてきたが、微細化だけでは性能向上が困難になってきており、「More than Moore」と呼ばれる指針にもとづいた多様化が図られている。
MEMS (Micro Electro Mechanical System)
| 対象 | 分析項目 |
|---|---|
| 保護膜 | 化学状態 膜質 |
| 透水性 | |
| 可動部 | 汚染 形状 |
| 素子 | 形状 |
| 封止空間 | 封入ガス |
TSV(Through Silicon Via)
| 対象 | 分析項目 |
|---|---|
| ウェハ | 応力・欠陥 汚染 |
| バンプ | 形状 応力 結晶方位 |
| 実装品 | 脱離ガス 変形 |
| TSV | エッチング残渣 形状 結晶方位 めっき有機物 界面層 応力/欠陥 Cuの拡散 |
分析メニュー
| 評価項目 | 分析法 |
|---|---|
| 応力・歪・そり | Raman |
| X線回折 | |
| TEM | |
| NBD、CBED | |
| 歪ゲージ | |
| 組成・化学状態 | XPS |
| AES | |
| FT-IR | |
| RBS | |
| SIMS | |
| 蛍光X線、EPMA | |
| TEM-EDX、EELS | |
| NMR | |
| 構造・形状 | TEM |
| SEM | |
| AFM、STM | |
| TEMトモグラフィ | |
| 欠陥・結晶性 | PL、CL |
| Raman | |
| TEM | |
| X線回折 | |
| DLTS | |
| キャリア濃度 | SCM、SSRM |
| SR | |
| FT-IR | |
| 細孔径分布 | 小角X線散乱 |
| 陽電子消滅 | |
| TEM | |
| 分光エリプソメトリ |
| 評価項目 | 分析法 |
|---|---|
| 密着性 | 4点曲げ |
| ナノインデンテーション | |
| ラフネス | AFM、STM |
| TEM、SEM | |
| GIXR | |
| ボイド | TEM、SEM |
| 界面構造・状態 | TEM、SEM |
| AES | |
| XPS | |
| SIMS | |
| 異物・偏折 | TEM、SEM |
| AES | |
| Raman | |
| クラック | SEM、TEM |
| 膜厚・密度 | 分光エリプソメトリ |
| GIXR | |
| RBS | |
| エッチング残渣 | TDS、TPD-MS |
| SIMS | |
| EELS | |
| エッチングダメージ | FT-IR |
| EELS | |
| 不純物プロファイル | SIMS |
| 汚染 | ICP-MS |
| TOF-SIMS |