主な外部発表(口頭、ポスター等　および　投稿論文)

  • ※主として学会発表や学術雑誌等への投稿論文を対象とします。
  • ※共同研究機関の敬称は省略させていただきます。
  • ※●印は主席発表者

2017年4月

  • High temperature SiC power device realized by electroless plating diffusion barrier for Ag sinter die-attach

    発表者
    ●Shinya Seki1,2, Akio Shimoyama1, Hao Zhang1, Seigo Kurosaka3, Takuo Sugioka4, Hirofumi Fujita1, Keiji Yamamura1, Tetsuro Muramatsu1, Tohru Sugahara1, Shijo Nagao1, Katsuaki Suganuma1
    （1：Osaka University、2：Toray Research Center、3：Uyemura、4：Nippon Shokubai）
    学会・雑誌
    日本学術振興会 第98回研究会「ワイドギャップ酸化物半導体β-Ga2O3結晶成長、結晶評価、デバイス応用」第161委員会　第98回研究会
    種類
    口頭
    発表日
    2017/4/20