Toray Research Center

  • HOME
  • 分析対象
  • 分析メニュー
  • 分析事例
  • 会社案内
  • お問い合わせ
HOME > 分析対象 > 半導体 > イオン注入
 

分析対象

半導体

概要

1985年からイオン注入サービス事業を開始しており、1988年からは、国内にて中電流型イオン注入装置を設置し半導体関連材料を中心としたイオン注入受託業務を行っています。
当社の分析・物性評価業務と同様に厳密な機密保持を保証いたします。
ご要望があれば、FE-SEM、SIMS、AES、ESCA、RBS等によるキャラクタリゼーションを行うことも可能です。

【研究・開発に】
ステップ回転注入、分析標準試料、高温低温注入、種々の形状の試料についてご相談に応じます。

試料  12インチまでのウェハ、不定形チップ状等も可能。
エネルギー  1〜4,200 keV 温度:室温〜600℃(低温も承ります。)
注入量  5E10〜5E17 cm-2
イオン種  80種
その他  注入後のSIMS分析、RBS分析は特別割引価格で承ります。

【生産に】
・生産ラインの注入工程アウトソーシング
・生産量確保のための救援処置
・ 装置故障時のバックアップ
 などの対応にお役に立てます。

多品種少量(特殊)生産に対応します。 国内設備による注入では、24時間以内の出荷に対応できる場合もありますのでご相談下さい。
トレーサビリティーの明確なサービスを提供いたします。

設備およびイオン注入条件

国内設備 使用装置:アルバック社製 IMX-3500RS (中電流機、静電ビーム走査)
試料:ウェハ(不定形、φ2〜φ6 inch)
各種材料(チップ状〜φ150mm、最大厚さ25mm)
イオン:合計25種
エネルギー:10〜200 keV,200〜400 keV(2価イオン) 
注入量:5E10 〜 5E17 cm-2
Core Systems(CA,USA) 試料:ウェハ(不定形、φ2〜φ8、一部φ12 inch)
イオン:80種(分子イオンはお問合わせください)
エネルギー:1〜200 keV、200〜400 keV(2価イオン)
温度:低温(液体窒素冷却)、高温(〜600℃)も可能
Materials Diagnostics(NY,USA) 試料:ウェハ(φ2〜φ8 inch)
イオン:40種(分子イオンはお問合わせください)
エネルギー:10〜4,200 keV(イオン種によって制約あり)

国内イオン注入装置