イオン注入

概要

1985年からイオン注入サービス事業を開始しており、1988年からは、国内にて中電流型イオン注入装置を設置し半導体関連材料を中心としたイオン注入受託業務を行っています。
当社の分析・物性評価業務と同様に厳密な機密保持を保証いたします。
SIMS, RBS, CL, TEM等各種評価も併せてご利用いただけます。

設備およびイオン注入条件

注入可能イオン種

色付き背景のイオンについては提携機関で実施します。

海外提携機関への委託となる場合には、当社の安全保障貿易システムに則った輸出手続に必要な書類や情報のご提供をお願いいたします。

イオン注入シミュレーション

ご要望により、イオン注入条件(ご希望の深さと濃度にするにはエネルギーと注入量をいくらにすればよいか)や注入されたイオンの分布(ご指定のエネルギーと注入量でイオンはどのような深さ分布を示すか)等のシミュレーションをご提供いたします。
基板組成、基板密度、ご希望イオンをお伺いし、下記のコンピュータプログラムで数値計算を行ない、結果を数値もしくはエクセルのグラフでお答えいたします。多段注入によるボックスプロファイルの検討も可能です。
ただし、本シミュレーションは注入後のプロファイルや濃度を保証するものではごさいません。
(見積のご依頼を前提として無料)

【TRIM (J.F.Ziegler, J.P.Biersack) 】

SRIMに内包された機能としてモンテカルロ法によりシミュレーションするプログラム。
いかなる基板およびイオンの組み合わせでも計算可能。また12元素15層までの多成分層膜基板でも計算可能です。

【Stopping/Range Tables (J.F.Ziegler, J.P.Biersack)】

SRIMに内包された機能としてLSS理論に基づくProjected Range(Rp, △Rp)から以下のようなプロットが得られます。いかなる基板材料(但し、単層)およびイオンの組み合わせでも計算可能です。

ご依頼

注入費用

下記、フォームまたはE-mailでお問い合わせください。SIMS分析・RBS分析を同時ご依頼の場合、分析費は特別割引にて承ります。

当社は、個人利用ではなく営業目的の事業者を対象とした取引を行っております。