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半導体

実装・パッケージング

実装・パッケージングの分析メニュー

分類 分析内容例 分析試料 分析方法
パッケージ 応力(Siチップ) 実装部品 Raman、X線回折
歪み 歪みゲージ
剥離 超音波顕微鏡
接合部の評価 接合部の構造観察(非破壊) 実装部品 X線CT
     〃     (断面観察) OM、SEM、FIB-SIM、TEM
接合部の構成元素分布評価 EPMA、AES、AEM
接合部の結晶性の評価 FIB-SIM、EBSD
はんだバンプの歪評価 μ-X線回折
接合部からの加熱発生ガス評価 TPD-MS
異物・表面汚染 電極(ランド)の表面汚染 実装部品 TOF-SIMS、AES、XPS
配線上の異物 TOF-SIMS、AES
腐食部の元素マッピング EPMA
表面微小付着物 µ-FT-IR、TOF-SIMS
組成・不純物分析 導電性接着剤の組成分析 原材料 GC/MS、GPC分取、NMR、FT-IR等
めっき液の添加剤分析 GC/MS、NMR、
FAB-MS等
有機層間絶縁材料の組成分析 実装部品 熱分解GC/MS、
加水分解GC/MS
実装部品からの加熱発生ガス分析 TG-MS、GC/MS
Cd、Pb、CrなどRoHS規制対象元素の微量分析 ICP-MS、原子吸光等
物性測定 接着剤などの硬化特性 原材料 DSC、液体粘弾性
熱物性(熱膨張、熱伝導率、軟化温度など) 開発途中品 レーザー干渉法、TMA、
DSC等
金属膜の硬度測定 ナノインデンテーション法
実装品の熱歪み解析 歪みゲージ法