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LSI・IC・メモリ

• 事例(1)　先端LSIの断面観察
• 事例(2)　SCM,TOF-SIMSによる拡散層の評価
• 事例(3)　レイヤー解析
• 事例(4)　バックサイドSIMSによるドーパントの拡散評価
• 事例(5)　STEM-EELSを用いたNi-FUSI(Fully Silicide)/SiO₂界面薄層の元素組成
• 事例(6)　レーザー気化導入ICP-MSによる材料中の局所分析
  　　　　　　−LSIワイヤーボンディングの不純物測定−
• 事例(7)　SIMS・SRによるイオン注入ウエハの面内均一性評価
• 事例(8)　セクター型SIMSによるSi中ドーパント分析
• 事例(9)　300mmウェハに対応した構造解析−座標リンク/配線不良箇所特定
• 事例(10)　高分解能RBSによるゲート絶縁膜の組成分析
• 事例(11)　SIMS，RBSによるTiAlNメタルゲート材料の評価
• 事例(12)　硬X線光電子分光法による状態分析への新たなアプローチ
  　　　　　　　−「より内部」や「埋もれた界面」の非破壊分析を目指して−
• 事例(13)　高感度ESR装置を用いた欠陥および金属イオンの状態分析

パワーデバイス・ディスクリートデバイス

• 事例(1)　形状観察
• 事例(2)　キャリア濃度評価
• 事例(3)　結晶欠陥
• 事例(4)　応力・歪み
• 事例(5)　IGBT電気特性と結晶欠陥との関連性評価
• 事例(6)　セクター型SIMSによるSi中ドーパント分析
• 事例(7)　SIMS・SRによるイオン注入ウエハの面内均一性評価
• 事例(8)　レーザーアニール後のSi基板中キャリヤ濃度・結晶性評価
• 事例(9)　SIMSによるSiO₂/SiC界面のN評価

化合物半導体・オプトデバイス

• 事例(1)　化合物半導体のSIMSの分析
• 事例(2)　分光学的手法を用いたSiCの欠陥・応力分析
• 事例(3)　SiC内に存在する結晶欠陥評価
• 事例(4)　AlGaNエピ膜の導電性の分布
• 事例(5)　高感度ラマン分光装置を用いた高速ラマンイメージング
  　　　　　　−SiCの結晶多型･キャリア濃度･応力分布評価−
• 事例(6)　SiCエピウエハのナノレベルに至るシームレス欠陥評価
• 事例(7)　青紫レーザーダイオード動作時の微小部結晶性・欠陥評価と温度分布計測

有機トランジスタ

• 事例(1)　OLEDのUV劣化評価
• 事例(2)　水分・酸素による劣化評価法
• 事例(3)　OLEDパネル内の封入ガス成分および出ガス成分評価
• 事例(4)　OLEDの深さ方向評価
• 事例(5)　駆動劣化後の有機ELパネルの構造解析
• 事例(6)　同位体マーカー法による有機ELパネルの封止性能評価

リソグラフィ

• 事例(1)　TOF-SIMSによる有機物の高感度分析
• 事例(2)　トップコートレスレジスト撥水添加剤の偏析分析
• 事例(3)　レジスト露光時の発生ガス分析
• 事例(4)　液浸リソグラフィ-プロセスにおける溶出・拡散解析
• 事例(5)　ナノインプリント成形品の局所形状観察と構造評価

MEMS･センサ･TSV

• 事例(1)　MEMS･TSVの先端分析技術 −応力･不純物･汚染評価−

実装・パッケージング

• 事例(1)　SiP中のSiチップの応力評価
• 事例(2)　BGAはんだボールのμ-X線回折による歪み測定
• 事例(3)　FT-IRによるソルダーレジストの劣化評価
• 事例(4)　プリント基板の線膨張係数の評価
• 事例(5)　半導体パッケージ接続部樹脂のFT-IRによる熱劣化評価
• 事例(6)　チップスタック型SiPパッケージの熱物性・構造解析

クリーンルームエア

• 事例(1)　クリーンルームエア分析　（酸、塩基、有機物）
• 事例(2)　ホウ素の気中濃度の異なる環境におけるSi ウエハへのホウ素の吸着
• 事例(3)　クリーンルームで使用する部材のアウトガス分析
• 事例(4)　ケミカルフィルターによる酸、塩基の除去

電子・機能性材料

• 事例(1)　導電性接着剤の有機組成分析
• 事例(2)　ポリイミド系フレキシブル基板の界面分析
• 事例(3)　架橋シリコーン樹脂の構造解析
• 事例(4)　透明導電性薄膜の熱・機械物性解析