ディスクリート・パワー系デバイスは、電力制御やモータ制御等の用途に幅広く使われている。LSIとほぼ同様の分析手法が適用されるが、パワーデバイス特有の評価項目も存在する。
分析メニュー
| 評価項目 |
分析法 |
| 応力・歪・そり |
Raman |
| X線回折 |
| TEM |
| NBD、CBED |
| 歪ゲージ |
| 組成・化学状態 |
XPS |
| AES |
| FT-IR |
| RBS |
| SIMS |
| 蛍光X線、EPMA |
| TEM-EDX、EELS |
| NMR |
| 構造・形状 |
TEM |
| SEM |
| AFM、STM |
| TEMトモグラフィ |
| 欠陥・結晶性 |
PL、CL |
| Raman |
| TEM |
| X線回折 |
| DLTS |
| キャリア濃度 |
SCM、SSRM |
| SR |
| FT-IR |
| ライフタイム |
μ-PCD |
| 細孔径分布 |
小角X線散乱 |
| 陽電子消滅 |
| TEM |
| 分光エリプソメトリ |
| 評価項目 |
分析法 |
| 密着性 |
4点曲げ |
| ナノインデンテーション |
| ラフネス |
AFM、STM |
| TEM、SEM |
| GIXR |
| ボイド |
TEM、SEM |
| 界面構造・状態 |
TEM、SEM |
| AES |
| XPS |
| SIMS |
| 異物・偏折 |
TEM、SEM |
| AES |
| Raman |
| クラック |
SEM、TEM |
| 膜厚・密度 |
分光エリプソメトリ |
| GIXR |
| RBS |
| エッチング残渣 |
TDS、TPD-MS |
| SIMS |
| EELS |
| エッチングダメージ |
FT-IR |
| EELS |
| 不純物プロファイル |
SIMS |
| 汚染 |
ICP-MS |
| TOF-SIMS |
