形態観察

先端材料やデバイス開発においてはナノ領域での制御が重要になっており、ナノ領域からサブナノ領域での観察や分析が求められています。また、製品不良などの原因においても微小領域の解析が不可欠になってきています。当社では高度なサンプリング技術と多彩な観察・分析手法により、お客様の問題解決に貢献しております。

透過型電子顕微鏡

Transmission Electron Microscope:TEM

Analytical Electron Microscope:AEM

・Scanning Transmission Electron Microscope:STEM

極微小領域(nm~サブnm)における構造・形態観察、結晶構造解析・結晶欠陥評価が可能です。
EDX やEELSにより、局所領域での元素分析やマッピングの測定が可能です。
半導体デバイス、Liイオン電池、燃料電池、触媒、ポリマーなど幅広い分野に適用できます。

球面収差補正走査透過型電子顕微鏡

spherical aberration corrected Scanning Transmission Electron Microscope:Cs-corrected STEM

球面収差補正機構がTEMの照射系や結像系に組み込まれることにより、従来の加速電圧200kVのTEMでは実現できなかった0.1nm空間分解能が達成され、単原子レベルでの位置特定や元素の識別が可能です。

走査型電子顕微鏡

Scanning Electron Microscope:SEM

樹脂から金属、無機材料に至る幅広い材料の表面・断面の組織・構造観察が可能です。
数十万倍程度(~数十nmオーダー)のSEM像(凹凸像)、反射電子像(組成像)観察が可能です。
サブμmオーダーの領域について、EDXにより構成元素の定性分析ができます。

電子線マイクロアナライザー

Electron Probe Micro Analyzer:EPMA

微小部(~1μm)~広域(100μmφ)のサブwt%程度の微量の元素組成分析が可能です。
カラーマッピングによる組成分布(均一性、偏析、拡散など)測定が可能です。
状態分析による化合物の簡易的な判定が可能です(金属 or 酸化物、硫化物 or 硫酸塩など)。

電子線後方散乱回折法

Electron Backscatter Diffraction:EBSD

走査電子顕微鏡(SEM)を用いて、結晶構造解析,結晶方位解析が可能です。
材料組織(組成・結晶性・配向性・粒径・粒界など)に関する定量的情報が得られます。
金属・セラミックス・半導体などの結晶性材料に適用可能です。

共焦点レーザー顕微鏡

Confocal Laser Scanning Microscope:CLSM

共焦点光学系を用いることで、高分解能な画像と高精度な試料表面の起伏情報が得られます。
試料表面の起伏状態を非接触で評価ができます。
レーザー光によってダメージを受けないため、幅広い試料に適用可能です。