表面分析

ナノテクノロジーの進展とデバイスの微細化に伴い、材料の表面・界面の制御は極めて重要になり、そのための評価ニーズはますます高まりつつあります。当社では、最新鋭の表面分析手法を用いて各種材料の表面・界面の組成や構造・状態、形状を調べ、材料の特性との相関を明らかにします。

走査型プローブ顕微鏡

Scanning Probe Microscope:SPM

空間分解能数nm(XY)、高さ分解能0.1nm(Z)の表面の三次元形状を観察できます。
液中に固定した生体試料の観察も可能です。
ナノメータスケールの高分子材料の力学物性、半導体の電気特性が評価できます。

X線光電子分光法

X-ray Photoelectron Spectroscopy:XPS

最表面~数nmにおける元素組成・化学状態の情報を得ることが可能です
イオンエッチングと併用することにより深さ方向分析が可能です。
ポリマー・有機物から無機物・半導体まであらゆる固体材料の分析が可能です。

オージェ電子分光法

Auger Electron Spectroscopy:AES

Li以上の元素の定性・半定量分析が可能で、一部元素では化学状態の情報も取得できます。
サブμm以下の空間分解能での微小領域の元素分析ができ、ライン分析や面分析も可能です。
Arイオンエッチングを併用することで、深さ方向の元素分布分析が可能です。

二次イオン質量分析法

Secondary Ion Mass Spectrometry:SIMS

表面分析手法としては最も高感度で不純物分析が可能です。Hも検出可能です。
極浅(数nm)から深く(数10μm)まで広い深さ範囲の評価が可能です。
半導体の他、金属、ガラス、セラミックス、樹脂など、ほとんどの固体試料に適応可能です。

飛行時間型二次イオン質量分析法

Time of Flight Secondary Ion Mass Spectrometry:TOF-SIMS

表面感度が非常に高く、極微量の元素および有機物の化学構造に関する情報が得られます。
検出された成分について、サブμmの分解能での分布観察が可能です。
高感度、高空間分解能での深さ方向分析ができ、微量元素の3D測定を行うことができます。

ラザフォード後方散乱分光法

Rutherford Backscattering Spectrometry:RBS

後方散乱スペクトルの解析から、深さ方向の組成分布を得ることが可能です。
チャネリング測定を用いることにより、結晶性・格子置換率・歪み評価が可能です。
高分解能RBS(High Resolution RBS:HR-RBS)測定により極薄膜の深さ方向組成分析が可能です。

水素前方散乱分析法、核反応解析法、粒子線励起X線分析法

Hydrogen Forward scattering Spectrometry:HFS、Nuclear Reaction Analysis:NRA、Particle Induced X-ray Emission:PIXE

HFS:水素前方散乱スペクトルの解析から、試料中水素の深さ分布を得ることが可能です。
NRA:核反応により発生するα線、γ線を検出することにより、試料中軽元素の高感度定量が可能です。
PIXE:イオン励起による特性X線を検出することにより、RBSでは分離困難な近接重元素の定量分析が可能です。

X線吸収微細構造解析

X-ray Absorption Fine Structure:XAFS

着目元素の価数や局所構造などの情報が得られます。
粉末・液体・基板上薄膜などのあらゆる試料形態での分析が可能です。
混合ガス流通下における加熱雰囲気下(~ 1000℃)での測定(in situ XAFS)も可能です。

拡がり抵抗測定法

Spreading Resistance Analysis:SRA

SiおよびGe基板中の深さ方向の抵抗率およびキャリア濃度(導電型)の情報を得ることが可能です。

グロー放電発光分析装置

Glow discharge optical emission spectrometry :GD-OES

原子のAr プラズマ内における発光線を連続的に分光することにより、薄膜の深さ方向の元素分布を測定します。半導体、無機・有機物、ガラス、 ポリマー中の不純物濃度分析ができます。